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日本富士原厂 2MBI200U2A-060 低压变频器驱动电源模块资料

2MBI200U2A-060-50 PDF资料 运用原理 替换型号

更新时间: 2020-04-05
信息编号: CNS2107145417
日本富士原厂 2MBI200U2A-060 低压变频器驱动电源模块资料
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  • 工厂价格 ¥0.00 - ¥0.00
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  • 联系人 李建平
  • 联系电话 13926586759
产品详情 详细属性
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富士2MBI200U2A-060高速高频IGBT电源模块的详细描述:
产品型号参数 封装
2MBI150U2A-0602单元150A  600V 封装:34MM
2MBI200U2A-0602单元200A  600V 封装:34MM
2MBI300U2B-0602单元300A  600V 封装:45MM
2MBI400U2B-0602单元400A  600V 封装:45MM
2MBI600U2E-0602单元600A  600V 封装:80MM
6MBI75U2A-0606单元 75A   600V 封装:45MM
6MBI100U2B-0606单元100A  600V 封装:62MM

产品图片富士U2系列低压IGBT模块


详细描述

产品型号:2MBI200U2A-060-50

产品品牌:FUJI

工作电流:200A

工作电压:600V

产品封装:模块

产品属性:IGBT

产品产地:富士原厂

2MBI200U2A-060的PDF技术资料



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IGBT使用注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:

在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。

在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

  • 类型: 电源模块
  • 品牌: FUJI
  • 型号: 2MBI200U2A-060-50
  • 功率: 大功率
  • 封装: 底板宽度34MM
  • 批号: 15+
  • 特色标志: 现货
  • 工作电流: 200A

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  • 经营模式: 贸易型
  • 主营: 功率器件,IGBT模块,快恢复模块,MOS 场效应管,可控硅晶闸管,整流桥,电源IC芯片,驱动光耦,存储器芯片,肖特基,变频器模块,电镀电源
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