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FUJI原厂 2MBI150U4H-120 富士变频器驱动IGBT模块资料

2MBI150U4H-120-50 2电压 150A 1200V IGBT模块

更新时间: 2020-04-06
信息编号: CNS253472636
FUJI原厂 2MBI150U4H-120 富士变频器驱动IGBT模块资料
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  • 工厂价格 ¥0.00 - ¥0.00
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  • 联系人 李建平
  • 联系电话 13926586759
产品详情 详细属性

产品概述

2MBI150U4H-120进口日本富士电源模块的参数信息和PDF技术资料下载.2MBI200U4H-120的厂家代理商,日本富士代理商的信息

参数信息

产品型号:2MBI150U4H-120

产品品牌:日本富士

工作电流:2组150A

工作电压:1200V

产品批号:14+

产品封装:底板宽度62mm

产品属性:低导通压降2单元IGBT模块

产品数量:985

产品广泛用于逆变焊机,变频器电源等邻域

产品图片

2MBI150U4H-120的PDF技术资料

IGBT厂家 性能 品牌
受技术和材料工艺的限制,目前国内市场IGBT单管主要还是国外品牌的天下,主要品牌都集中在德国和欧洲,国内市场占有率较多的IGBT单管品牌有英飞凌、仙童、FUJI、西门康、IXYS、ABB、IR、东芝(其IGBT已与三菱合并)等。欧美品牌的IGBT单管主要运用优势在电力电子和通讯行业,而日本品牌的IGBT单管主要用于电磁炉、变频空调、冰箱、洗衣机等家电类居多。
IGBT怎么分类

IGBT分为七类:
1、低功率IGBT
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。
2、U-IGBT
U(沟槽结构)-IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后可进一步缩小元胞尺寸,减少沟道电阻,进步电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品。现有多家公司生产各种U-IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。
3、NPT-IGBT
NPT(非穿通型)-IGBT采用薄硅片技术,以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延,可降低生产成本25%左右,耐压越高本钱差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时NPT—IGBT可靠性**。NPT型正成为IGBT发展方向。
4、SDB-IGBT
采用SDB(硅片直接键合)技术在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。
5、超快速IGBT
研发重点在于减少IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的超快速IGBT可**限度地减少拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。
6、IGBT/FRD
IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。
7、IGBT功率模块
IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,智能化、模块化成为IGBT发展热门。


  • 类型: 电源模块
  • 提供加工定制:
  • 品牌: FUJI
  • 型号: 2MBI150U4H-120-50
  • 功率: 大功率
  • 封装: 底板宽度62MM
  • 批号: 15+
  • 特色标志: 库存

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深圳市正平鑫电子有限公司
  • 企业类型: 有限责任公司
  • 经营模式: 贸易型
  • 主营: 功率器件,IGBT模块,快恢复模块,MOS 场效应管,可控硅晶闸管,整流桥,电源IC芯片,驱动光耦,存储器芯片,肖特基,变频器模块,电镀电源
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